◎ 题干
Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是______,As的原子结构示意图______.
(2)Ga的原子核外电子排布式为:______.
(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3______,AsF3______.
(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于______晶体,并写出其主要的物理性质______  (任2种).
(5)第一电离能:As______Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是______.
(7)二氧化硒分子的空间构型为______,写出它的1个等电子体的分子式______.
魔方格
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◎ 知识点
    根据n多题专家分析,试题“Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄…”主要考查了你对  【电子排布式】【原子核外电子的排布】【无机分子的立体结构】【晶胞】【原子晶体】  等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”,你可以点击相应的链接进行查看和学习。