GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。（1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As____

◎ 题干

GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
（1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As________。
（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是：Ga________价、As________价。
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

◎ 答案

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◎ 解析

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◎ 知识点

根据n多题专家分析，试题“GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。（1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As_____…”主要考查了你对【碳单质及化合物】，【单质硅】，【硅酸盐】，【硅酸（原硅酸）】等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”，你可以点击相应的链接进行查看和学习。

◎ 相似题

与“GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。（1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As_____”考查相似的试题有：

● 下列关于碳族元素的说法中，错误的是A．它们从上到下的非金属性向金属性递变的趋势比卤族元素明显B．碳族元素的气态氢化物的稳定性从上到下逐渐减弱C．碳族元素原子的最外层都有 ● 能证明硅酸的酸性弱于碳酸酸性的实验事实是A．CO2溶于水形成碳酸，SiO2难溶于水B．CO2通入可溶性硅酸盐中析出硅酸沉淀C．高温下SiO2与碳酸盐反应生成CO2D．HCl通入可溶性碳酸盐溶 ● 下列说法正确的是A．混合物的分离是依据混合物中各组分性质的差异进行的，元素分析仪、红外光谱仪、原子吸收光谱仪等均是分离物质的常用仪器。B．道尔顿、汤姆生、卢瑟福、玻尔 ● 下列说法正确的是（）A．非金属元素R所形成的含氧酸盐（NaROb）中的R元素必定呈现正价B．只有非金属能形成含氧酸或含氧酸盐C．除稀有气体外的非金属元素都能生成不同价态的含氧酸D．● [化学——选修3：物质结构与性质]（15分）硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。回答下列问题：（1）基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为____，该能层具有的原子轨道