GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。（1）Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少？（2）GaAs中Ga和As的-高中化学-n多题

◎ 题干

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。
（1）Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少？
（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是多少？
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。

◎ 答案

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◎ 解析

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◎ 知识点

根据n多题专家分析，试题“GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。（1）Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少？（2）GaAs中Ga和As的…”主要考查了你对【构成物质的粒子—分子、原子、离子】，【元素周期律】等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”，你可以点击相应的链接进行查看和学习。

◎ 相似题

与“GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。（1）Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少？（2）GaAs中Ga和As的”考查相似的试题有：

● 短周期元素甲、乙、丙、丁在元素周期表的相对位置如下表所示，其中甲的气态氢化物的水溶液呈碱性，则下列判断正确的是甲乙丙丁A．甲位于元素周期表中第2周期、第ⅤA族B．原子半 ● 已知短周期元素的离子aA2＋、bB＋、cC3－、dD－都具有相同的电子层结构，则下列叙述正确的是A．原子半径：A＞B＞D＞CB．单质的还原性：A＞B＞D＞CC．原子序数：d＞c＞b＞aD．离子半径：C＞D＞B＞A ● 下表是部分短周期元素的原子半径及主要化合价，根据表中的信息，判断下面叙述正确的是元素代号LMQRT原子半径（nm）0.1600.1430.0890.1020.074主要化合价+2+3+2+6、-2-2A．● 下列说法正确的是A．Li是最活泼金属，F是最活泼非金属B．元素周期表有7个主族，7个副族，1个0族，1个Ⅷ族，共16纵行C．X2+的核外电子数目为18，则X在第四周期第ⅡA族D．Mg(OH)2碱性 ● 有关叙述：能说明M比N的非金属性强的叙述是①非金属单质M能从N的化合物中置换出非金属单质N。②M原子比N原子容易得到电子。③单质M跟H2反应比N跟H2反应容易得多。④气态氢化物水溶