从下列元素中:H、O、N、Si、S、Mg选出其中的一种或几种,组成典型的四类晶体,要求:每种元素只能出现一次;所填物质必须能够回答问题(2)和(3): |
(1)填充下表: |
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(2)构成晶体B的基态原子的电子排布式为________________________,D中原子采取的堆积方式为________________________。 (3)将晶体A溶于水,在所得的溶液中加入足量的盐酸,写出该反应的离子方程式_________________。 |
根据n多题专家分析,试题“从下列元素中:H、O、N、Si、S、Mg选出其中的一种或几种,组成典型的四类晶体,要求:每种元素只能出现一次;所填物质必须能够回答问题(2)和(3):(1)填充下表:(2)构成晶体B的基…”主要考查了你对 【金属硫化物】,【电子排布式】,【原子晶体】,【离子晶体】,【分子晶体】,【金属晶体】 等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”,你可以点击相应的链接进行查看和学习。
与“从下列元素中:H、O、N、Si、S、Mg选出其中的一种或几种,组成典型的四类晶体,要求:每种元素只能出现一次;所填物质必须能够回答问题(2)和(3):(1)填充下表:(2)构成晶体B的基”考查相似的试题有: