◎ 题干
有一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料,非常薄,很容易用在纳米技术上,在制造微型晶体管、发光二极管(LED)、太阳能电池等方面有很大潜力.某学习小组利用辉钼制成的半导体来探究其电阻的决定因素,做了如下实验

魔方格

(1)用多用电表R×1档测其电阻,表盘指针如图1,则半导体材料的电阻为______Ω
(2)某同学利用器材连接电路如图2所示.闭合电键后,发现电路有故障(已知电源、电表和导线均完好,电源电动势为12V):若电流表示数为零、电压表示数几乎为12V,则发生故障的是______处
A.半导体材料     B.滑动变阻器
C.电键           D.电源
②若电流表、电压表示数均为零,该同学利用多用电表检查故障时将选择开关旋至______档
A.欧姆×10          B.直流电压25V
C.直流电流500mA  D.交流电压25V
(3)为使实验尽可能准确,请你对该同学的实物连接电路加以改进.(至少一条)______.
◎ 答案
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◎ 解析
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◎ 知识点
    根据n多题专家分析,试题“有一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料,非常薄,很容易用在纳米技术上,在制造微型晶体管、发光二极管(LED)、太阳能电池等方面有很大潜力.某学习小组利用辉钼制成的半导体来探…”主要考查了你对  【实验:伏安法测电阻】  等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”,你可以点击相应的链接进行查看和学习。
◎ 相似题
与“有一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料,非常薄,很容易用在纳米技术上,在制造微型晶体管、发光二极管(LED)、太阳能电池等方面有很大潜力.某学习小组利用辉钼制成的半导体来探”考查相似的试题有: