◎ 题干
霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等.在霍尔效应实验中,如图所示,ab宽为1cm,ad长为4cm,ae厚为1.0×10-3cm的导体,沿ad方向通有3A的电流,当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时,产生了1.0×10-5V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是(  )
A.在导体的前表面聚集自由电子,电子定向移动的速率v=
2
3
×10-3(m/s)
B.在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率v=
2
3
×103(m/s)
C.在其它条件不变的情况下,增大ad的长度,可增大霍尔电压
D.每立方米的自由电子数为n=2.8×1029

◎ 答案
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◎ 解析
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◎ 知识点
    根据n多题专家分析,试题“霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等.在霍尔效应实验中,如图所示,ab宽为1cm,a…”主要考查了你对  【电磁感应现象的综合应用】  等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”,你可以点击相应的链接进行查看和学习。